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NTMFS4C09NCT1G
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.2nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.252nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 126pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 610pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低电容,以最小化驱动损耗
- 优化栅极电荷,以最小化开关损耗
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,且符合RoHS标准
应用领域
- CPU电源供应
- DC-DC转换器