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ISO6520FDR

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描述: ISO652x 器件是高性能双通道功能隔离器，适用于需要与非安全应用隔离的成本敏感、空间受限型应用。该隔离栅支持 200Vᵣₘₛ/280Vᴅᴄ 的工作电压，以及 570Vᵣₘₛ/800Vᴅᴄ 的瞬态过压。在隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O 的同时，器件可提供高电磁抗扰度、低发射和低功耗特性。
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: ISO6520FDR
商品编号: C34825998
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.175克(g)

商品参数

商品概述

ISO652x 器件是高性能双通道功能隔离器，适用于需要与非安全应用隔离的成本敏感、空间受限型应用。该隔离栅支持 200Vᵣₘₛ/280Vᴅᴄ 的工作电压，以及 570Vᵣₘₛ/800Vᴅᴄ 的瞬态过压。在隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O 的同时，器件可提供高电磁抗扰度、低发射和低功耗特性。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由 TI 的双电容二氧化硅(SiO₂) 绝缘栅相隔离。 ISO6520 具有 2 个同向隔离通道。 ISO6521 具有 2 个隔离通道，每个方向各一个通道。如果输入功率或信号出现损失，不带后缀 F 的器件默认输出高电平，带后缀 F 的器件默认输出低电平。这些器件有助于防止 UART、SPI、RS - 485、RS - 232 和 CAN 等数据总线上的噪声电流损坏敏感电路。得益于芯片设计和布局布线技术，器件的电磁兼容性得到了显著增强，可缓解系统级 ESD 问题并符合辐射标准。

商品特性

50Mbps 数据速率稳健可靠的 SiO₂ 隔离栅（CMTI 典型值为 ±150kV/μs）
功能隔离(8 - EEU)：
- 200Vᵣₘₛ、280Vᴅᴄ 工作电压
- 570Vᵣₘₛ、800Vᴅᴄ 瞬态电压 (60s)
功能隔离(8 - D)：
- 450Vᵣₘₛ、637Vᴅᴄ 工作电压
- 707Vᵣₘₛ、1000Vᴅᴄ 瞬态电压 (60s)
采用爬电距离 > 2.2mm 的紧凑型 8 - REU 封装
宽电源电压范围：1.71V 到 1.89V 和 2.25V 到 5.5V
1.71V 至 5.5V 电平转换
默认输出高电平 (ISO652x) 和低电平 (ISO652xF) 选项
宽温度范围： - 40℃ 至 125℃
3.3V、1Mbps 时每通道电流典型值为 1.8mA
低传播延迟：3.3V 时为 11ns（典型值）
优异的电磁兼容性 (EMC)：
- 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰度
- 超低辐射
无引线 DFN (8 - REU) 封装和窄体 SOIC (8 - D) 封装选项

应用领域

电源
- 电网、电表
- 电机驱动器
工厂自动化
楼宇自动化
照明电器

	属性	参数值
	商品目录	数字隔离器
	正向通道数	2
	反向通道数	0
	最大数据速率	50Mbps
	默认输出	低电平

	属性	参数值
	CMTI(kV/us)	150kV/us
	工作温度	-40℃~+125℃
	工作电压(VCCA)	1.71V~5.5V
	工作电压(VCCB)	1.71V~5.5V
	传播延迟(tpd)	11ns