温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NGTB75N65FL2WG
NGTB75N65FL2WG
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 此款绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 采用坚固耐用、经济高效的场截止 (FS) 沟槽结构，为要求苛刻的开关应用提供出色性能，提供低导通状态电压，并最大限度降低开关损耗。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NGTB75N65FL2WG
- 商品编号
- C389626
- 商品封装
- TO-247AC-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 265W；595W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 75A；100A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 200A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.3V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 310nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 7.5nF | |
| 输出电容(Coes) | 300pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 190pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 100ns；110ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 280ns；270ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.2mJ；2.8mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.6mJ；1.1mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 80ns；143ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |