- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IMBG120R034M2HXTMA1
1200V SiC MOSFET G2
- 描述
- 特性：VDSS = 1200 V at Tvj = 25℃。 IDDC = 43 A at Tc = 100℃。 RDS(on) = 34 mΩ at VGS = 18 V, Tvj = 25℃。 极低的开关损耗。 过载运行可达 Tvj = 200℃。 短路耐受时间 2 μs。应用：电动汽车充电。 在线式 UPS/工业 UPS
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMBG120R034M2HXTMA1
- 商品编号
- C34789800
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 耗散功率(Pd) | 278W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.51nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 64pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ |
商品概述
引脚定义：引脚1 - 栅极，引脚2 - 开尔文检测端，引脚3至7 - 源极，金属基板 - 漏极。注意：源极引脚和检测引脚不可互换，互换可能导致故障（仅适用于4引脚，TO263-7L封装）。
商品特性
- V_DSS = 1200 V，T_vj = 25°C
- I_DDC = 43 A，T_C = 100°C
- R_DSS(on) = 34 mΩ，V_GS = 18 V，T_vj = 25°C
- 极低的开关损耗
- 过载工作温度可达 T_vj = 200°C
- 短路耐受时间 2 μs
- 基准栅极阈值电压，V_DDC(th) = 4.2 V
- 抗寄生导通能力强，可施加 0 V 关断栅极电压
- 适用于硬换流的稳健体二极管
- XT互连技术，提供一流的散热性能
应用领域
- 电动汽车充电
- 在线式不间断电源/工业不间断电源
- 组串式逆变器
- 通用驱动器