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LM74912QRGERQ1

汽车理想二极管控制器，具备故障输出、过压、欠压和短路保护功能

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描述: LM74912-Q1理想二极管控制器驱动并控制外部背靠背N沟道MOSFET，以模拟具有电源路径开/关控制、过压、欠压和输出短路保护功能的理想二极管整流器。3 V至65 V的宽输入电源范围可对12 V和24 V汽车电池供电的电子控制单元（ECU）进行保护和控制。该器件能够承受低至 -65 V的负电源电压，并保护负载免受其影响。集成的理想二极管控制器（DGATE）驱动第一个MOSFET，以取代肖特基二极管，实现反向输入保护和输出电压保持。通过在电源路径中使用第二个MOSFET，该器件可在过流和过压事件发生时，利用HGATE控制实现负载断开（开/关控制）。该器件集成了电流检测放大器，可基于外部MOSFET的VDS检测提供短路保护，且电流限制可调。当检测到输出端出现短路情况时，器件会锁存负载断开MOSFET。该器件具备可调过压关断保护功能。它还具有睡眠模式，可实现超低静态电流消耗（6 μA），同时在车辆处于停车状态时为始终开启的负载提供刷新电流。LM74912-Q1的最大电压额定值为65 V。
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: LM74912QRGERQ1
商品编号: C34779753
商品封装: VQFN-24-EP(4x4)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.133714克(g)

商品参数

商品概述

LM74912-Q1理想二极管控制器驱动并控制外部背靠背N沟道MOSFET，以模拟具有电源路径开/关控制、过压、欠压和输出短路保护功能的理想二极管整流器。3 V至65 V的宽输入电源范围可对12 V和24 V汽车电池供电的电子控制单元（ECU）进行保护和控制。该器件能够承受低至 -65 V的负电源电压，并保护负载免受其影响。集成的理想二极管控制器（DGATE）驱动第一个MOSFET，以取代肖特基二极管，实现反向输入保护和输出电压保持。通过在电源路径中使用第二个MOSFET，该器件可在过流和过压事件发生时，利用HGATE控制实现负载断开（开/关控制）。该器件集成了电流检测放大器，可基于外部MOSFET的VDS检测提供短路保护，且电流限制可调。当检测到输出端出现短路情况时，器件会锁存负载断开MOSFET。该器件具备可调过压关断保护功能。它还具有睡眠模式，可实现超低静态电流消耗（6 μA），同时在车辆处于停车状态时为始终开启的负载提供刷新电流。LM74912-Q1的最大电压额定值为65 V。

商品特性

符合汽车应用的AEC-Q100标准
器件温度等级1：环境工作温度范围为 -40℃至 +125℃
提供有助于功能安全系统设计的功能安全相关文档
3 V至65 V输入范围
低至 -65 V的反向输入保护
驱动共漏配置的外部背靠背N沟道MOSFET
理想二极管工作模式，正向压降调节为10.5 mV（A至C）
低反向检测阈值（-10.5 mV），响应迅速（0.5 μs）
20 mA峰值栅极（DGATE）导通电流
2.6 A峰值DGATE关断电流
可调过压和欠压保护
输出短路保护，MOSFET处于锁存关断状态
超低功耗模式，关断电流为2.5 μA（EN = 低电平）
睡眠模式，电流为6 μA（EN = 高电平，SLEEP = 低电平）
搭配合适的瞬态电压抑制器（TVS）二极管，满足汽车ISO7637瞬态要求
采用4 mm×4 mm 24引脚VQFN封装

应用领域

高级驾驶辅助系统（ADAS）域控制器
信息娱乐系统和仪表盘
汽车外部放大器
冗余电源的有源或门应用

	属性	参数值
	商品目录	理想二极管/ORing控制器
	输入电压(Vin)	3V~65V
	反向耐压	65V
	导通电流(Imax)	2.6A
	栅极驱动电压	11.5V

	属性	参数值
	正向压降(Vf)	10.5mV
	静态电流(Iq)	610uA
	工作温度	-40℃~+150℃
	拉电流(IOH)	20mA
	灌电流(IOL)	2.6A