- 引脚图
- 焊盘图
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GS-065-011-2-L-TR
GS-065-011-2-L-TR
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- GS-065-011-2-L-TR
- 商品编号
- C34749063
- 商品封装
- PDFN-8(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | - | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 70pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 20pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ |
商品概述
GS-065-011-2-L 是一款增强型氮化镓（GaN）硅基功率晶体管。氮化镓的特性使其能够实现高电流、高电压击穿和高开关频率。氮化镓系统公司通过行业领先的创新技术，如获得专利的岛式技术单元布局，实现了高电流芯片和高良率。
GS-065-011-2-L 是一款底部散热的晶体管，为高功率应用提供极低的结到外壳热阻。这些特性相结合，可实现高效的功率开关。
商品特性
- 650 V 增强型功率晶体管
- 850 V 瞬态漏源电压
- 底部散热的 8×8 mm PDFN 封装
- RDS(on) = 150 mΩ
- IDS,max = 11 A / IDSmax,Pulse = 19 A
- 超低品质因数（FOM）
- 简单的栅极驱动要求（0 V 至 6 V）
- 瞬态耐受栅极驱动（-20 V / +10 V）
- 高开关频率（> 1 MHz）
- 快速且可控的上升和下降时间
- 反向导通能力
- 零反向恢复损耗
- 用于优化栅极驱动的源极感应（SS）引脚
- 符合 RoHS 3（6+4）标准
应用领域
- 消费和工业电源
- 电源适配器
- LED 照明驱动器
- 快速电池充电
- 功率因数校正
- 家电和工业电机驱动
- 无线电力传输