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IAUTN08S5N012LATMA1
OptiMOs 5汽车级功率MOSFET，80V
- 描述
- 特性：用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET-N沟道。 增强模式。 正常水平-超出AEC-Q101的扩展认证。应用：配电和电池管理（电子保险丝和断开开关）
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUTN08S5N012LATMA1
- 商品编号
- C34722967
- 商品封装
- HSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.33克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 410A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 231nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 15.34nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 137pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.73nF |
商品概述
TO-252塑封封装N沟道场效应管。
商品特性
- 用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET
- N沟道 – 增强模式 – 正常电平
- 超出AEC-Q101的扩展认证
- 增强型电气测试
- 稳健设计
- 单封装集成线性FET(LINFET)和低RDS(on) FET(ONFET)
- 两个MOSFET均有专用栅极引脚(双栅极)
- 线性FET具备增强的安全工作区(SOA)和并联特性,适用于线性操作
- 工作温度达175°C
- 符合RoHS标准
- 100%雪崩测试
- 湿度敏感度等级1(MSL1),最高峰值回流温度260°C
应用领域
-功率分配和电池管理(电子保险丝和断开开关)-浪涌电流限制(电容器充电、电机浪涌电流)-慢速开关以最小化电压瞬变和电磁干扰(电催化加热器)-漏源电压钳位(电感性能量耗散、过压保护)