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UCC27624QDSDRQ1
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- 描述
- 是一款双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET、IGBT、SiC和GaN电源开关。典型峰值驱动强度为5A，有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。具有快速传播延迟（典型值为17ns），可改善系统的死区时间优化、控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。 可在输入端处理－10V的电压，通过平缓的接地反弹提高系统稳健性
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- UCC27624QDSDRQ1
- 商品编号
- C34699780
- 商品封装
- SON-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 工作电压 | 4.5V~26V | |
| 上升时间(tr) | 6ns | |
| 下降时间(tf) | 10ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 17ns | |
| 传播延迟 tpHL | 17ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.8V | |
| 输入低电平(VIL) | 1.2V | |
| 静态电流(Iq) | 450uA |
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