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SI1012CR-T1-GE3
1个N沟道 耐压:20V 电流:0.63A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET，12V额定。 100% Rg测试。 栅源ESD保护：1000V。 RoHS合规，无卤。应用：便携式设备的负载/电源开关。 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1012CR-T1-GE3
- 商品编号
- C388850
- 商品封装
- SC-75A
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.048克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 630mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 43pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 14pF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET：额定电压1.2 V
- 100%进行Rg测试
- 栅源极ESD保护：1000 V
应用领域
- 便携式设备的负载/电源开关-驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器-电池供电系统-电源转换电路