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FMV06N90E实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FMV06N90E

N沟道硅功率MOSFET

描述
特性:保持低功耗和低噪声。 较低的Rs(on)特性。 通过栅极电阻可更可控地开关dv/dt。 开关期间较小的Vss振铃波形。 栅极阈值电压范围窄 (4.0 ± 0.5V)。 高雪崩耐久性。应用:开关稳压器。 不间断电源 (UPS)
品牌名称
FUJI(富士电机)
商品型号
FMV06N90E
商品编号
C34649336
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.871克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)900V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))2.5Ω@10V
耗散功率(Pd)48W
阈值电压(Vgs(th))4.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)50nC@450V
输入电容(Ciss)1.5nF@25V
反向传输电容(Crss)10pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)150pF

商品特性

  • 兼具低功耗和低噪声特性
  • 具备较低的漏源导通电阻(RDS(on))特性
  • 通过栅极电阻可更精准控制开关电压变化率(dv/dt)
  • 开关过程中栅源电压(VGS)振铃波形更小
  • 栅极阈值电压范围窄(4.0 ± 0.5 V)
  • 具有高雪崩耐受性

应用领域

-开关稳压器-不间断电源(UPS)-直流-直流转换器

数据手册PDF