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GT180N12M
1个N沟道 耐压:120V 电流:55A
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：120V 连续漏极电流(Id)：55A 阈值电压(Vgs(th))：4.5V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：13mΩ@10V 封装：TO-263
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT180N12M
- 商品编号
- C34582148
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
GT180N12M采用先进的沟槽技术，具备出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可广泛应用于各类场景。
商品特性
- VDS 120V
- ID(在 VGS = 10V 时)55A
- RDS(ON)(在 VGS = 10 V 时)< 17 m Ω
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器