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UCC21330BQDRQ1实物图
  • UCC21330BQDRQ1商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

UCC21330BQDRQ1

UCC21330BQDRQ1

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描述
通用型:双低侧、双高侧或半桥驱动器,符合 AEC - Q100 标准,测试结果如下: - 器件温度等级 1 - 结温范围:-40 至 +150°C - 最高 4A 峰值源电流和 6A 峰值灌电流输出 - 共模瞬态抗扰度(CMTI)大于 125V/ns - 最高 25V 的 VDD 输出驱动电源 - 提供 5V、8V、12V 的 VDD 欠压锁定(UVLO)选项 - 开关参数: - 典型传播延迟 33ns - 最大脉冲宽度失真 5ns - 最大 VDD 上电延迟 10µs - 所有电源均具备 UVLO 保护 - 支持快速关断,用于电源排序。
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
UCC21330BQDRQ1
商品编号
C34414221
商品封装
SOIC-16​
包装方式
编带
商品毛重
0.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录隔离式栅极驱动器
驱动配置半桥;低边;高边
隔离电压(Vrms)3000
负载类型IGBT;MOSFET
通道数2
输入侧工作电压3V~5.5V
拉电流(IOH)4A
灌电流(IOL)6A
属性参数值
工作温度-40℃~+150℃@(Tj)
上升时间(tr)8ns
下降时间(tf)8ns
传播延迟 tpLH45ns
传播延迟 tpHL45ns
静态电流(Iq)2mA
CMTI(kV/us)125kV/us
驱动侧工作电压9.2V~25V

优惠活动

  • 9.9

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