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MX5050TL10R25
集成100V 180A NMOS的理想二极管功率模块
- 描述
- MX5050TL10R25是一款集成了理想二极管控制器和100V 180A NMOS的功率模块，代替传统的肖特基。肖特基二极管广泛用于电源系统设计，可在各种输入电源故障条件下提供保护，并通过并联电源提供系统冗余。该模块能够代替大功率20~30A,100V的肖特基，产品尺寸更小，可靠性更高，压降低功耗小，反向截至时间快，能够提高电源ORing应用的效率和性能。
- 商品型号
- MX5050TL10R25
- 商品编号
- C34376141
- 商品封装
- TOLL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 理想二极管/ORing控制器 | |
| 输入电压(Vin) | 5V~90V | |
| 反向耐压 | 100V | |
| 导通电流(Imax) | 180A | |
| FET类型 | 内置FET |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 正向压降(Vf) | 20mV | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ | |
| 静态电流(Iq) | 700uA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
MX5050TL10R25是一款集成了理想二极管控制器和100V 180A NMOS的功率模块，可代替传统肖特基二极管。肖特基二极管广泛用于电源系统设计，能在各种输入电源故障条件下提供保护，并通过并联电源实现系统冗余。在汽车电源系统设计中，功率肖特基二极管可在电池反向和各种汽车电气瞬变条件下提供保护；工业系统传统上采用肖特基二极管提供反极性保护，防止现场电源接线错误，并提供对雷击和工业浪涌的抗扰能力。常用的工业系统、电信服务器、存储和基础设施设备均采用肖特基二极管来提供系统冗余，或通过对两个或更多电源采用Oring电路来增加功率容量。然而，肖特基二极管的正向压降会在大电流下产生显著的功率损耗，需要使用散热器和更大的PCB空间进行热管理，这会降低效率，增加系统成本和空间。随着系统功率水平的提高和功率密度需求的增加，肖特基二极管不再是新一代高性能系统设计的优先选择。
该模块能够代替大功率30~100A、100V的肖特基二极管，产品尺寸更小，可靠性更高，压降低、功耗小，反向截至时间快，能够提高电源ORing应用的效率和性能。
MX5050TL10R25高侧OR-ing模块是由100V的理想二极管控制器和100V 2.5mΩ N-MOSFET构成的功率模块，采用紧凑的TOLL封装，当与电源串联时，可用作理想的二极管整流器。该模块可连接到5V ~ 90V的电源，并可承受高达100V的瞬态电压。
MX5050TL10R25高侧OR-ing模块集成了一个N-MOSFET，与电源串联时可作为理想的二极管整流器。该OR-ing模块使内部MOSFET能够取代配电网络中的二极管整流器，降低功率损耗和电压降。MX5050TL10R25为内部N沟道MOSFET提供电荷泵栅极驱动，并提供快速响应比较器，当电流反向流动时关闭FET。MX5050TL10R25可连接到5V至90V的电源，并能承受高达100V的瞬态电压。
商品特性
- 宽电压输入5V~90V
- 内部集成了100V 180A的NMOSFET
- 超小VDS能够快速关断反向电流
- 采用了半导体的封装结构，可靠性高
- 宽工作输入电压范围VIN：5V至90V
- 集成100V 180A NMOS
- 为内部N沟道MOSFET提供电荷泵栅极驱动器
- 超小VDS关断电压可减少关断时间
- TOLL-8封装
应用领域
- 多电池包并联
- 电动工具
- 电动自行车/电动助力车
- 光伏储能
- 服务器冗余电源
- 冗余（N+1）电源的主动OR-ing
- 单路防止电流倒灌应用
- 双路冗余应用