TPD2005F(EL,F)
TPD2005F 8通道高边电源开关阵列,适用于电机、螺线管和灯驱动器
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- 描述
- 高侧电源开关阵列(8通道)适用于电机、电磁阀和灯驱动器TPD2005F 是一种用于垂直功率MOSFET输出的8通道高侧开关阵列。作为单片功率IC,它可以由CMOS或TTL逻辑电路(如MPU)直接驱动功率负载。它提供过流和过温保护功能。该高侧开关阵列集成了N沟道功率MOSFET(最大1.2 Ω)和8通道电荷泵。可以直接从微处理器驱动功率负载。内置过温和过流保护。8通道访问设计有助于节省空间。高工作电源电压:40 V。低导通电阻:最大1.2 Ω (VDD = 12 V, IO = 0.5 A(每通道))。支持并行操作。低电源电流:最大5 mA (VDD = 40 V, VIN = 0 V)。采用SSOP-24封装(300 mil),带压纹带包装。
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPD2005F(EL,F)
- 商品编号
- C386786
- 商品封装
- SSOP-24-300mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.658克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 类型 | 高侧开关 | |
| 通道数 | 8 | |
| 输入控制逻辑 | 高电平有效 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 8V~40V | |
| 导通电阻 | 900mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 特性 | 过热保护(OTP);过流保护(OCP) |
商品概述
TPD2005F是一款用于垂直功率MOSFET输出的8通道高端开关阵列。作为一款单片功率IC,它可直接通过CMOS或TTL逻辑电路(如MPU)驱动功率负载,具备过流和过温保护功能。
商品特性
- 集成N沟道功率MOSFET(最大1.2 Ω)和8通道电荷泵的高端开关阵列
- 可直接通过微处理器驱动功率负载
- 内置过温保护和过流保护
- 8通道接入,节省空间设计
- 高工作电源电压:40 V
- 低导通电阻:最大1.2 Ω(VDD = 12 V,IO = 0.5 A(每通道))
- 支持并联操作
- 低电源电流:最大5 mA(VDD = 40 V,VIN = 0 V)
- 采用SSOP - 24封装(300 mil),压纹载带包装
- 重量:典型值0.29 g
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