- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
GS-065-004-1-L-TR
GS-065-004-1-L-TR
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- 描述
- 增强型氮化镓-硅功率晶体管。氮化镓的特性允许高电流、高电压击穿和高开关频率。底部冷却晶体管，为高功率应用提供极低的结到外壳热阻。这些特性结合起来可实现非常高效的功率开关。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- GS-065-004-1-L-TR
- 商品编号
- C34281110
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 0.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 26pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 7pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ |
商品概述
GS-065-004-1-L是一款增强型硅基氮化镓功率晶体管。氮化镓的特性使其能够实现高电流、高击穿电压和高开关频率。其创新性的专利岛状技术单元布局实现了高电流芯片和高良率。该器件采用底部冷却设计，为要求严苛的高功率应用提供了极低的结壳热阻。这些特性共同实现了高效率的功率开关。
商品特性
- 650 V增强模式功率晶体管
- 850 V瞬态漏源电压
- 底部冷却，小型5×6 mm PDFN封装
- R_DS(on) = 450 mΩ
- I_DSmax,DC = 4 A / I_DSmax,Pulse = 7.1 A
- 超低品质因数
- 简单的栅极驱动要求（0 V至6 V）
- 瞬态耐受栅极驱动（-20 V / +10 V）
- 高开关频率（>1 MHz）
- 快速且可控的上升和下降时间
- 反向导通能力
- 零反向恢复损耗
- 源极检测引脚用于优化栅极驱动
- 符合RoHS 3（6+4）标准
应用领域
- 电源适配器
- LED照明驱动器
- 快速电池充电
- 功率因数校正
- 电器电机驱动
- 无线电力传输
- 工业电源