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TPM60V7NBS8实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPM60V7NBS8

2个N沟道 耐压:60V 电流:9A

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描述
特性:VDS = 60V,ID = 6A。 RDS(ON) < 35mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 45mΩ @ VGS = 4.5V。应用:负载/电源开关。 接口
商品型号
TPM60V7NBS8
商品编号
C3040633
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.342克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))45mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)22nC@30V
输入电容(Ciss)979pF@30V
反向传输电容(Crss)100pF@30V
工作温度-55℃~+150℃

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