温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
- 收藏
- 对比
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@30V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 979pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
梯度价格
梯度
售价
折合1圆盘
5+￥1.3343
50+￥1.1769
150+￥1.1094
500+￥1.0252
3000+￥0.8656￥2596.8
6000+￥0.8431￥2529.3
优惠活动
库存总量
(单位：个)广东仓
0
江苏仓
2,150
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个 )个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
咨询客服- 优惠券
- 芯媒体
- 建议反馈
- 投诉意见
- 收起