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BSC026N04LS
N沟道 耐压:40V 电流:119A
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- 描述
- 特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 极低导通电阻RDS(on) @ VDS 4.5V。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC026N04LS
- 商品编号
- C3039672
- 商品封装
- TDSON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.675克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 119A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 63W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.22nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 104pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 900pF |
商品概述
HXY4012GD采用先进的沟槽技术，可实现出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压 = 40V，漏极电流 = 20A
- 栅源电压 = 10V时，漏源导通电阻 < 24mΩ
- 漏源电压 = -40V，漏极电流 = -20A
- 栅源电压 = -10V时，漏源导通电阻 < 38mΩ
应用领域
- 无线充电
- 升压驱动器
- 无刷电机
- TO-252-4L
- N沟道MOSFET
- P沟道MOSFET