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GL10NP06V-D8
双通道N/P沟道,电流:10A,耐压:60V
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- 品牌名称
- GL(光磊)
- 商品型号
- GL10NP06V-D8
- 商品编号
- C3038121
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 960pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 95pF |
商品概述
GT105N10T采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 一般特性 N沟道
- 漏源电压(VDS)=60V,漏极电流(ID)=10A
- 栅源电压(VGS)=10V时,导通电阻(RDS(ON))<18mΩ,典型值15mΩ
- 栅源电压(VGS)=10V时,导通电阻(RDS(ON))<25mΩ,典型值18mΩ
- P沟道
- 漏源电压(VDS)=-60V,漏极电流(ID)=-10A
- 栅源电压(VGS)=-10V时,导通电阻(RDS(ON))<75mΩ,典型值60.0mΩ
- 栅源电压(VGS)=-10V时,导通电阻(RDS(ON))<100mΩ,典型值70.0mΩ
应用领域
- H桥
- 逆变器