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JMSL0606AE实物图
  • JMSL0606AE商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

JMSL0606AE

N沟道,电流:115A,耐压:60V

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品牌名称
JJW(捷捷微)
商品型号
JMSL0606AE
商品编号
C3037830
商品封装
TO-263-3​
包装方式
编带
商品毛重
1.859克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)115A
导通电阻(RDS(on))5.2mΩ@10V
耗散功率(Pd)139W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)32nC@10V
输入电容(Ciss)2.03nF
反向传输电容(Crss)4.4pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)445pF

商品概述

BL18N20是采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET,该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。

商品特性

  • 超低导通电阻RDS(ON)
  • 低栅极电荷
  • 高电流承载能力
  • 100%进行UIS测试和100%进行Rg测试

应用领域

  • 电信、工业自动化、消费电子领域的电源管理
  • DC/DC(降压)和AC/DC(同步整流、反相)电路中的电流切换
  • 消费电子机器人、电动工具中的电机驱动

数据手册PDF