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VS6614GE

耐压:65V 电流:40A

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描述: 特性：增强模式。低导通电阻RDS(on)，在VGS = 4.5V时。 VitoMOS II技术。 100%雪崩测试。无铅引脚镀层，符合RoHS标准
品牌名称: Vergiga(威兆)
商品型号: VS6614GE
商品编号: C3036359
商品封装: PDFN3333-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.085克(g)

商品参数

商品概述

Linko LKS045N012HS是一款低压功率MOSFET，采用先进的分裂栅沟槽技术制造。由此生产的器件具有极低的导通电阻、低栅极电荷和快速开关时间，特别适用于需要卓越功率密度和同步整流的应用。LKS045N012HS的击穿电压为45V，具有高鲁棒性雪崩特性。LKS045N012HS采用PDFN5*6封装。

商品特性

漏源击穿电压（BVDSS） = 45V，漏极电流（ID） = 100A
超低导通电阻，典型值RDS(ON) = 1.07mΩ @栅源电压（VGS） = 10V
超低栅极电荷，典型值Qg = 73nC
快速开关能力
稳健设计，具有更好的单脉冲雪崩耐量（EAS）性能
电磁干扰（EMI）改善
非汽车级认证

应用领域

服务器/电信
DC/DC转换器
高功率电源
电子工具
电池管理系统（BMS）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	65V
	连续漏极电流(Id)	40A
	导通电阻(RDS(on))	15mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	31W
	阈值电压(Vgs(th))	1.8V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	13nC@10V
	输入电容(Ciss)	900pF
	反向传输电容(Crss)	20pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	输出电容(Coss)	430pF