DRV8300DPWR
100V三相BLDC栅极驱动器
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- 描述
- DRV8300 具有自举二极管的最大 100V 简单三相栅极驱动器
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- DRV8300DPWR
- 商品编号
- C3036056
- 商品封装
- TSSOP-20
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.184356克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 无刷直流(BLDC)电机驱动芯片 | |
| 驱动类型 | 三相 | |
| 集成FET | 否 | |
| 半桥数量 | 3 | |
| 输出电流 | 750mA;1.5A | |
| 峰值电流 | 1.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 5V~20V | |
| 静态电流(Iq) | 800uA | |
| 接口类型 | PWM | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 功能特性 | 交错导通保护 |
商品概述
DRV8300是一款100V三相半桥栅极驱动器,能够驱动高侧和低侧N沟道功率MOSFET。DRV8300D使用集成自举二极管和外部电容为高侧MOSFET生成合适的栅极驱动电压。DRV8300N使用外部自举二极管和外部电容为高侧MOSFET生成合适的栅极驱动电压。GVDD用于为低侧MOSFET生成栅极驱动电压。栅极驱动架构支持高达750mA的峰值拉电流和1.5A的灌电流。相位引脚SHx能够承受显著的负电压瞬变;而高侧栅极驱动器电源BSTx和GHx能够支持更高的正电压瞬变(125V)最大值,从而提高系统的鲁棒性。较小的传播延迟和延迟匹配参数可尽可能降低死区时间要求,从而进一步提高效率。通过GVDD和BST欠压锁定为低侧和高侧提供欠压保护。
商品特性
- 100V三相半桥栅极驱动器,驱动N沟道MOSFET(NMOS)
- 栅极驱动器电源(GVDD):5-20V
- MOSFET电源(SHx)支持高达100V的电压
- 集成自举二极管
- 支持反相和同相INLx输入
- 自举栅极驱动架构,提供750mA拉电流和1.5A灌电流
- 支持由高达15节串联电池供电的应用
- SHx引脚具有低漏电流(小于55µA)
- 最大BSTx电压高达125V
- SHx引脚瞬态负压可达-22V
- 内置跨导保护
- 针对QFN封装型号,可通过DT引脚调节死区时间
- 针对TSSOP封装型号,固定插入200ns死区时间
- 支持3.3V和5V逻辑输入(最大值为20V)
- 4ns典型传播延迟匹配
- 紧凑型QFN和TSSOP封装
- 具有电源块的高效系统设计
- 集成保护特性:BST欠压锁定(BSTUV)、GVDD欠压(GVDDUV)
应用领域
- 电动自行车、电动踏板车和电动汽车
- 风扇、泵和伺服驱动器
- 无刷直流(BLDC)电机模块和PMSM
- 无线园艺和电动工具、割草机
- 无线真空吸尘器
- 无人机、机器人和遥控玩具
- 工业和物流机器人
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