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LM2101DR
具有8V UVLO的107V、0.5A/0.8A半桥驱动器
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- 描述
- LM2101 是一款紧凑型高压栅极驱动器，专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- LM2101DR
- 商品编号
- C34080678
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 800mA | |
| 拉电流(IOH) | 500mA | |
| 工作电压 | 9V~18V | |
| 上升时间(tr) | 28ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 18ns | |
| 传播延迟 tpLH | 115ns | |
| 传播延迟 tpHL | 115ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.45V~2V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV~1.3V | |
| 静态电流(Iq) | 430uA |
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