LM2101DR
具有8V UVLO的107V、0.5A/0.8A半桥驱动器
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- 描述
- LM2101 是一款紧凑型高压栅极驱动器,专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- LM2101DR
- 商品编号
- C34080678
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.129496克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET;IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 800mA | |
| 拉电流(IOH) | 500mA | |
| 工作电压 | 9V~18V | |
| 上升时间(tr) | 28ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 18ns | |
| 传播延迟 tpLH | 115ns | |
| 传播延迟 tpHL | 115ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.45V~2V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV~1.3V | |
| 静态电流(Iq) | 430uA | |
| 功能特性 | 欠压保护 |
商品概述
LM2101 是一款紧凑型高压栅极驱动器,专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。SH 引脚具有–1V 直流和 –19.5V 瞬态负电压处理能力,可提升高噪声应用中的系统稳健性。该器件采用小型热增强型 8 引脚 WSON 封装,可将驱动器放置在更靠近电机相位的位置,从而改善 PCB 布局。 LM2101还采用与业界通用引脚排列兼容的 8 引脚 SOIC 封装。在低侧和高侧电源轨上均提供欠压锁定 (UVLO) 功能,以在上电和断电期间提供保护。
商品特性
- 可驱动两个采用半桥配置的 N 沟道 MOSFET
- 8V GVDD 上的典型欠压锁定
- BST 上的最大电压为 107V
- SH 上的 –19.5V 最大负瞬态电压处理
- 0.5A/0.8A 峰值拉电流/灌电流
- 115ns 典型传播延迟
应用领域
- 无刷直流 (BLDC) 电机
- 永磁同步电机 (PMSM)
- 无线真空吸尘器
- 无线园艺工具和电动工具
- 电动自行车和电动踏板车
- 电池测试设备
- 离线不间断电源 (UPS)
- 通用 MOSFET 或 IGBT 驱动器



