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CJU40P04A实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CJU40P04A

1个P沟道 耐压:40V 电流:40A

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描述
CJU40P04A采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于各种应用场景。
商品型号
CJU40P04A
商品编号
C3034804
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.33克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))22mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)74W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)46nC@4.5V
输入电容(Ciss)4.6nF
反向传输电容(Crss)300pF
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
类型P沟道
输出电容(Coss)480pF

商品特性

  • 增强型
  • 极低导通电阻
  • VitoMOS II 技术
  • 快速开关与高效率
  • 100%雪崩测试
  • 无铅
  • 无卤
  • PDFN5x6

数据手册PDF