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DMT20N60WS
600V,14A,630V
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- 描述
- DY 20N60WS 是一款高压功率 MOSFET，采用先进的超结技术制造。由此生产的器件具有极低的导通电阻、低栅极电荷和快速的开关时间，使其特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用场景。20N60WS 的击穿电压为 600V，具有高抗雪崩特性
- 品牌名称
- DIYI(迪一/芯诺)
- 商品型号
- DMT20N60WS
- 商品编号
- C3033530
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.093nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 增强型
- 极低导通电阻
- 快速开关且效率高
- 100%雪崩测试
- 无铅
- 无卤