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DMC2990UDJQ-7实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMC2990UDJQ-7

1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:450mA

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描述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它通过了AEC - Q101认证,有生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于以下场景:通用接口、开关电源管理功能、模拟开关、互补对增强型MOSFET。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMC2990UDJQ-7
商品编号
C3033299
商品封装
SOT-963​
包装方式
编带
商品毛重
0.01克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)450mA
导通电阻(RDS(on))990mΩ@4.5V,100mA;1.9Ω@4.5V,100mA
耗散功率(Pd)350mW
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)500pC@4.5V
输入电容(Ciss)27.6pF
反向传输电容(Crss)2.8pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)4pF

商品概述

DMZ0615E / DMX0615E / DMZ0622E / DMX0622E / DMX1015E——新型耗尽型MOSFET系列采用专有专利的超高阈值电压技术设计。DMZ0615E是一款宽范围电压(最高达70V)稳压器。其输入电压最高可达70V,还能根据不同工作条件提供约8V至23V的稳定输出电压。它非常适合具有可变充电电压输出(5V - 20V)的快速充电(QC4.0)/Type C PD充电器应用。 利用亚阈值特性,耗尽型MOSFET DMZ0615E可为负载提供稳定的功率,并且无需齐纳二极管即可钳位负载电压以保护负载。 DMZ0615E可承受高达70V的宽电压输入,并能为负载提供合适的电压。这些特性适用于快速充电(QC4.0)/Type C PD充电器应用,其PWM控制IC需要稳定的电压供电。

商品特性

~~- 增强的ESD能力-耗尽型(常开)-专有先进平面技术-专有先进超高Vth技术-符合RoHS标准-可提供无卤产品

应用领域

  • 快速充电(QC4.0)/Type C PD充电器或适配器
  • 电流源
  • 电压源

数据手册PDF