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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MJD32CQ-13

高压晶体管 PNP 电流:3A 电压:100V

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描述
这款双极结型晶体管(BJT)旨在满足汽车应用的严格要求。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
MJD32CQ-13
商品编号
C3033175
商品封装
TO-252-2​
包装方式
编带
商品毛重
0.51克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)3A
集射极击穿电压(Vceo)100V
耗散功率(Pd)15W
直流电流增益(hFE)25@1A,4V
属性参数值
特征频率(fT)3MHz
集电极截止电流(Icbo)1uA
集射极饱和电压(VCE(sat))1.2V@3A,375mA
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)6V
数量1个PNP

商品概述

这款双极结型晶体管(BJT)专为满足汽车应用的严格要求而设计。

商品特性

  • 集电极 - 发射极击穿电压(BVCEO) > -100V
  • 连续集电极电流(IC) = -3A(高值)
  • 峰值脉冲电流(ICM) = -5A
  • 非常适合功率开关或放大应用
  • 互补NPN型:MJD31CQ
  • 无铅表面处理;符合RoHS标准
  • 无卤素和锑。“绿色”器件
  • MJD32CQ适用于需要特定变更控制的汽车应用;该器件符合AEC - Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)能力,并在通过IATF16949认证的工厂制造。

数据手册PDF