BLM3404
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- BLM3404采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻 $\mathsf{R_{DS(ON)}}$ 和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关和PWM应用。
- 品牌名称
- BL(上海贝岭)
- 商品型号
- BLM3404
- 商品编号
- C3032968
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 255pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品概述
HXY4410S采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V
- 漏极电流（ID） = 15 A
- 当栅源电压（VGS） = 10 V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)） < 9 mΩ
- 当栅源电压（VGS） = 4.5 V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)） < 14 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源