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BLM3404
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- BLM3404采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻 $\mathsf{R_{DS(ON)}}$ 和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关和PWM应用。
- 品牌名称
- BL(上海贝岭)
- 商品型号
- BLM3404
- 商品编号
- C3032968
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 255pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品概述
HXY4410S采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V, ID = 5.8A
- RDS(ON)< 31 m Ω@ VGS=10 V
- RDS(ON) < 43 m Ω @ VGS = 4.5 V
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- 负载开关
- PWM应用