MCU45N10-TP

AP50P06P采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

• 漏源电压（VDS） = - 60V
• 漏极电流（ID） = - 50A
• 当栅源电压（VGS） = -10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < -18 mΩ

-电池保护-负载开关-不间断电源