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IAUCN08S7N019ATMA1
OptiMOs 7汽车功率MOSFET
- 描述
- 特性：用于汽车应用的N沟道OptiMOS功率MOSFET。 增强模式。 正常水平。 超出AEC-Q101的扩展认证。 增强型电气测试。 稳健设计。应用：一般汽车应用
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUCN08S7N019ATMA1
- 商品编号
- C33993693
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.31克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 169W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V@87uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 81.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.63nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.283nF |