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NCE6003XY
1个N沟道 耐压:60V 电流:3A
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- 描述
- NCE6003XY采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE6003XY
- 商品编号
- C3031696
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.054克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 270pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
JMT N沟道增强型功率MOSFET
商品特性
- 30V、15A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) < 8 mΩ
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 14 mΩ
- 先进的沟槽技术
- 具备出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 获得无铅产品认证
应用领域
- 负载开关-PWM应用-电源管理