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JSM2006G
集成自举二极管的650V半桥栅极驱动器
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- 描述
- 集成自举二极管 专业高速吹风筒驱动 电源电压：10V~20V 高压650V 峰值灌电流：0.6A 峰值拉电流：1A 电机驱动 40°C ~125°C
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- JSM2006G
- 商品编号
- C33960117
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.160925克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；高边 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 1A | |
| 拉电流(IOH) | 600mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 70ns | |
| 下降时间(tf) | 35ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 60uA |
商品概述
JSM2006G是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达600V。采用SOP - 8封装，可以在 - 40°C至125°C温度范围内工作。
商品特性
- 自举工作的浮地通道
- 最高芯片耐压为 + 650V
- 兼容3.3V,5V和15V输入逻辑
- dVs/dt耐受能力可达 ± 50V/ns
- Vs负偏压能力达 - 9V
- 集成VCC、VBS欠压锁定电路
- VCC欠压锁定阈值8.7V/7.7V
- VBS欠压锁定阈值8.2V/7.3V
- 芯片传输延时特性
- 开通/关断传输延时Ton/Toff = 250ns/150ns
- 延迟匹配时间小于50ns
- 防止直通保护
- 死区时间130ns
- 宽温度范围 - 40°C~125°C
- 输出级拉电流/灌电流能力0.6A/1A
- 符合RoSH标准
- SOP - 8
应用领域
- 电机控制
- 空调/洗衣机
- 通用逆变器
- 逆变器驱动
- 高速风筒芯片