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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RMC70R1K0SN

耐压:700V 电流:4A

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描述
采用多层外延工艺,抗浪涌强;改善EMC
商品型号
RMC70R1K0SN
商品编号
C3029904
商品封装
TO-220MF​
包装方式
管装
商品毛重
2.18克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)700V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))1Ω@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)30W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品特性

  • 威昂小信号MOSFET
  • VDS = 20 V,ID = 3.1 A
  • 在VGS = 4.5 V时,RDS(导通) < 45 mΩ
  • 在VGS = 2.5 V时,RDS(导通) < 60 mΩ
  • 沟槽低压MOSFET技术

数据手册PDF