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RM6510T

SSR副边反馈外推MOS

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描述: SSR副边反馈外推MOS 适用功率120W以内典型搭配：RM6510T+RMC65R280SN+RM3430T+RMD070N10S
品牌名称: Reactor-Micro(亚成微)
商品型号: RM6510T
商品编号: C3029831
商品封装: SOT-23-6
包装方式: 编带
商品毛重: 0.035克(g)

商品参数

	属性	参数值
	最大占空比	80%
	晶体管耐压	-
	拓扑结构	反激式
	特性	欠压保护(UVP)；过热保护(OPT)；过压保护(OVP)；过流保护(OCP)；软启动
	工作温度	-40℃~+150℃

商品概述

RM6510T是一种离线式开关电源管理芯片，内置电流模式PWM+PFM控制器，支持谷底检测开通功能，满足六级能效标准。采用低电流启动模式及低工作电流，减少待机损耗。芯片内置多种工作模式，空载时进入Burst mode模式，消除变压器的音频噪音，提高转换效率；轻载时进入QR模式，有效提高电路的转换效率；低压重载时进入固定频率CCM模式。内部集成斜坡补偿模块，有利于CCM模式下系统闭环反馈回路的稳定性，减小了输出纹波电压。芯片外置OVP保护功能，可通过VSET管脚的上偏电阻调节芯片的OVP保护上限，以满足不同条件的用户需求。芯片内部集成多种异常状态保护功能，包括VDD欠压保护及过压保护，过载保护，CS过流和悬空保护，过温保护功能。在电路发生异常时，芯片进入保护状态并自动重启检测，直至异常解除为止，输出正常。

商品特性

Burst mode模式去除音频噪音并提高轻载效率
低启动电流和工作电流
满足六级能效标准
满载65KHz固定频率QR/谷底开通模式，轻载/空载Burst mode
软启动功能
具备抖频模式降低EMI
电流模式控制
内置CS管脚短路保护功能
内置斜坡补偿功能
内置前沿消隐
VDD过压保护和欠压保护
过载保护和过温保护
外置输出OVP
逐周期限流功能
输出二极管短路保护功能

应用领域

电源适配器
开放式电源
TV/机顶盒电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	AC-DC控制器和稳压器
	是否隔离	隔离
	工作电压	6.8V~31V
	开关频率	60kHz~70kHz
	输出电流	-
	耗散功率(Pd)	-