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HRT4407
30V P沟道功率MOSFET
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- 品牌名称
- HRmicro(华瑞微)
- 商品型号
- HRT4407
- 商品编号
- C3029816
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.941nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 297pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
采用先进沟槽技术设计的P沟道功率MOSFET。该器件具备出色的栅极电荷和导通电阻RDS(on),可大幅降低开关和传导损耗。因此,它非常适用于AC/DC电源转换、照明和工业电源应用。其封装形式为SOP-8,符合RoHS标准。
商品特性
- 低品质因数RDS(on) × Qgd
- 100%雪崩测试
- 易于使用/驱动
- 符合RoHS标准
应用领域
-适配器和充电器的电源开关电路-电池保护充放电-笔记本电脑AC输入负载开关
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