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HRT60N19D
60V N沟道功率MOSFET,电流:50A,耐压:60V
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- 品牌名称
- HRmicro(华瑞微)
- 商品型号
- HRT60N19D
- 商品编号
- C3029815
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@0V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.889nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 92pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET由和润微半导体公司采用先进的沟槽技术设计。该器件具备出色的栅极电荷和导通电阻RDS(on),可大幅降低开关和传导损耗。因此,它非常适用于AC/DC电源转换、负载开关和工业电源应用。
商品特性
- 低品质因数RDS(on) × Qgd
- 100%雪崩测试
- 易于使用和驱动
- 符合RoHS标准
应用领域
-DC/DC转换器-电池保护充放电-负载开关-同步整流
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