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IRLMS1503TRPBF
1个N沟道 耐压:30V 电流:3.2A
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- 描述
- 第五代HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。采用定制化引线框架的Micro6封装，使HEXFET功率MOSFET的Rps（on）比同等尺寸的SOT - 23封装低60%
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRLMS1503TRPBF
- 商品编号
- C3029554
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 210pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
第五代HEXFET功率MOSFET采用先进的制造工艺,在单位硅片面积上实现极低的导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计,这一优势为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件,可广泛应用于各种领域。 采用定制化引线框架的Micro6封装,使HEXFET功率MOSFET的RDS(on)比同等尺寸的SOT - 23封装低60%。该封装非常适合印刷电路板空间有限的应用场景。其独特的散热设计和RDS(on)的降低,与SOT - 23封装相比,电流处理能力提高了近300%。
商品特性
-Micro6封装形式-超低RDS(ON)-无铅