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DMN62D1LFDQ-7
1个N沟道 耐压:60V 电流:400mA
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它通过了AEC - Q101认证，有生产件批准程序（PPAP）支持
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN62D1LFDQ-7
- 商品编号
- C3029186
- 商品封装
- DFN-3(1.2x1.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02775克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 400mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@4V；1Ω@2.5V；1.4Ω@1.8V；1.8Ω@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 550pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 36pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.6pF |
商品特性
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) ≤ 35 mΩ（典型值24mΩ）
- 在VGS = 2.5V时，RDS(ON) ≤ 50 mΩ（典型值29mΩ）
- SOT-23封装
应用领域
- 便携式设备的负载开关
- DC/DC转换器
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