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UCC21331CQDRQ1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

UCC21331CQDRQ1

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描述
是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC和IGBT晶体管。可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个3kVRMS隔离栅与两个输出驱动器相隔离,其共模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为125V/ns。保护功能包括:电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于5ns的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有UVLO保护。凭借所有这些高级特性,该器件能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高电源密度和稳健性。
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
UCC21331CQDRQ1
商品编号
C33864209
商品封装
SOIC-16​
包装方式
编带
商品毛重
0.19克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录隔离式栅极驱动器
驱动配置半桥
隔离电压(Vrms)3000
负载类型IGBT;MOSFET
通道数2
输入侧工作电压3V~5.5V
拉电流(IOH)4A
灌电流(IOL)6A
属性参数值
工作温度-40℃~+150℃@(Tj)
上升时间(tr)8ns
下降时间(tf)8ns
传播延迟 tpLH45ns
传播延迟 tpHL45ns
CMTI(kV/us)125kV/us
驱动侧工作电压13.5V~25V