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SR9926Q
双N沟道MOSFET,电流:4.8A,耐压:20V
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- 品牌名称
- SALLTECH(萨瑞)
- 商品型号
- SR9926Q
- 商品编号
- C3027184
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 523pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 66pF |
商品特性
- 沟道型场效应功率MOSFET
- 出色的导通电阻RDS(on)和低栅极电荷
应用领域
- 非常适合用于锂电池组应用