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2SK3019
N沟道,电流:100mA,耐压:30V
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- 品牌名称
- SALLTECH(萨瑞)
- 商品型号
- 2SK3019
- 商品编号
- C3027167
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 13pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
商品概述
GL18N25A4是一款硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），采用自对准平面技术制造，可降低导通损耗，改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO-252，符合RoHS标准。
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 低电压驱动,使该器件非常适合便携式设备
- 驱动电路易于设计
- 易于并联
应用领域
- 接口连接
- 开关应用
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