DRV8262DDVR
DRV8262DDVR
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- 描述
- 是一款宽电压、高功率 H 桥电机驱动器,适用于各种工业应用。该器件集成了两个 H 桥来驱动一个或两个直流电机或一个双极步进电机,在双路 H 桥模式下支持高达 16A 的峰值电流,在单路 H 桥模式下支持高达 32A 的峰值电流。该器件还集成了电流检测和调节、电流检测输出以及保护电路。在启动期间和高负载事件中,高侧 MOSFET 两端的集成电流检测功能可实现通过驱动器调节电机电流
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- DRV8262DDVR
- 商品编号
- C33828788
- 商品封装
- HTSSOP-44
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 有刷直流电机驱动芯片 | |
| 集成FET | 是 | |
| H桥数量 | 2 | |
| 峰值电流 | 16A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 3.05V~5.5V | |
| 导通电阻 | 100mΩ | |
| 静态电流(Iq) | 3uA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
DRV8262 是一款宽电压、高功率 H 桥电机驱动器,适用于各种工业应用。该器件集成了两个 H 桥来驱动一个或两个直流电机或一个双极步进电机。DRV8262 在双路 H 桥模式下支持高达 16A 的峰值电流,在单路 H 桥模式下支持高达 32A 的峰值电流。该器件还集成了电流检测和调节、电流检测输出以及保护电路。 在启动期间和高负载事件中,高侧 MOSFET 两端的集成电流检测功能可实现通过驱动器调节电机电流。利用可调外部电压基准,可设置电流限值。该器件还提供与每个 H 桥的电机电流成正比的输出电流。集成感应消除了对分流电阻的需求,因而可以节省电路板面积并降低系统成本。 该器件提供一种低功耗睡眠模式,可实现超低静态电流。提供的内部保护特性包括:电源欠压锁定(UVLO)、电荷泵欠压 (CPUV) 保护、输出过流 (OCP)保护和器件过热 (OTSD) 保护。
商品特性
- 单路或双路 H 桥电机驱动器
- 驱动一个或两个有刷直流电机,一个步进电机,一个或两个热电冷却器 (TEC)
- 4.5V 至 60V 工作电源电压范围
- 低 RDS(ON):
- 100mΩ HS + LS (双路 H 桥)
- 50mΩ HS + LS (单路 H 桥)
- 高输出电流能力:
- 双路 H 桥(24V,25°C):
- 8A 峰值,采用 DDW 封装
- 16A 峰值,采用 DDV 封装
- 单路 H 桥(24V,25°C):
- 16A 峰值,采用 DDW 封装
- 32A 峰值,采用 DDV 封装
- 双路 H 桥(24V,25°C):
- 可编程运行接口:
- 相位/使能 (PH/EN)
- PWM (IN/IN)
- 集成式电流检测和调节:
- 高侧 MOSFET 的电流检测
- 每个 H 桥的检测输出 (IPROPI)
- 最大电流下的检测精度 ± 4%
- 单独的逻辑电源电压 (VCC)
- 可配置的关断时间 PWM 斩波:7μs、16μs、24μs 或 32μs
- 可编程故障恢复方法
- 支持 1.8V、3.3V、5.0V 逻辑输入
- 低电流睡眠模式 (3μA)
- 保护特性:
- VM 欠压锁定 (UVLO)
- 电荷泵欠压 (CPUV)
- 过流保护 (OCP)
- 热关断 (OTSD)
- 故障状态输出 (nFAULT)
应用领域
- 有刷直流电机
- 工厂自动化、步进驱动器和机器人
- 医疗成像、诊断和设备
- ATM、点钞机和 EPOS
- TEC 驱动器
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个2500个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交6单
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