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IRF540STRLPBF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF540STRLPBF

1个N沟道 耐压:100V 电流:28A

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描述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。D2PAK (TO-263)是一种表面贴装功率封装,能够容纳高达HEX-4的芯片尺寸。它在任何现有的表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低,D2PAK (TO-263)适用于大电流应用,并且在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0W的功率。
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
IRF540STRLPBF
商品编号
C3025611
商品封装
D2PAK(TO-263)​
包装方式
编带
商品毛重
2.02克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)28A
导通电阻(RDS(on))77mΩ@10V
耗散功率(Pd)150W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)72nC@10V
输入电容(Ciss)1.7nF
反向传输电容(Crss)120pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)560pF

数据手册PDF

优惠活动

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(800个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个800个/圆盘

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