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TSF8N65M
1个N沟道 耐压:650V 电流:8A
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- 描述
- N沟道，650V，7.5A，1.5Ω
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSF8N65M
- 商品编号
- C382378
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V,3.75A | |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@520V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 12.6pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用芯导科技（Truesemi）先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过特别设计，可最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 7.5A、650V，最大导通电阻RDS(on)=1.50 Ω（VGS=10V时）
- 低栅极电荷（典型值29nC）
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力