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AP20P02BF
P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:20V 电流:20A
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- 描述
- AP20P02BF采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP20P02BF
- 商品编号
- C3024941
- 商品封装
- PQFN-6-EP(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.138nF@6V | |
| 反向传输电容(Crss) | 650pF@6V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
AP20N65F/P是硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），采用自对准平面技术制造，可降低传导损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。
商品特性
- VDS = 650V，ID = 20A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 480 mΩ（典型值：380 mΩ）
应用领域
- 不间断电源(UPS)-功率因数校正(PFC)