温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSG0812NDATMA1
BSG0812NDATMA1
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSG0812NDATMA1
- 商品编号
- C33725954
- 商品封装
- PG-TISON8-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.8mΩ@10V；2.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 6.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC；5.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.7nF；780pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF；38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 390pF；1.4nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±16V |
商品特性
- 双不对称N沟道OptiMOS 5 MOSFET
- 逻辑电平(额定4.5V)
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 针对高性能降压转换器优化
- 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证