温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NCP303152MNTWG
集成电流监测器的集成驱动器和MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- NCP303152将一个MOSFET驱动器、高端MOSFET和低端MOSFET集成到单个封装中。该驱动器和MOSFET针对大电流DC-DC降压电源转换应用进行了优化。与分立元件解决方案相比，NCP303152集成解决方案大大降低了封装寄生效应并节省了电路板空间
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NCP303152MNTWG
- 商品编号
- C3020838
- 商品封装
- PQFN-39(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；高边 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 100mA | |
| 拉电流(IOH) | - | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 上升时间(tr) | 17ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 26ns | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP)；过流保护(OCP)；过热保护(OPT) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2.35V~2.55V | |
| 输入低电平(VIL) | 650mV~850mV |
商品特性
- 可支持高达50 A的平均电流
- 可支持80 A（10 ms）峰值电流
- 经过80 A封装级UIS测试，提高鲁棒性
- 30 V / 30 V击穿电压MOSFET，提高长期可靠性
- 高性能、通用引脚、铜夹5 mm x 6 mm PQFN封装
- 可在高达1 MHz的频率下切换
- 兼容3.3 V或5 V PWM输入
- 支持3级PWM输入
- 精确的电流监测
- 集成温度监测（TMON）
- 支持3级PWM的零交叉检测选项
- 内置自举二极管
- 灾难性故障检测
- 过温条件下的热标志（OTP）
- 过流保护故障（OCP）
- VCC和PVCC上的欠压锁定（UVLO）
- Boot-SW上的欠压保护故障
- 该器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 台式机与笔记本电脑微处理器
- 显卡
- 路由器和交换机