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IQE013N04LM6CGATMA1
N沟道 耐压:40V 电流:205A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IQE013N04LM6CGATMA1
- 商品编号
- C3020632
- 商品封装
- TTFN-9-1
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 205A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 107W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@51uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.2nF |
商品特性
~~- 符合RoHS标准-低导通电阻-低栅极电荷-峰值电流与脉冲宽度曲线-电感式开关曲线
应用领域
- 适配器-充电器-开关电源