- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 运算放大器 | |
| 放大器数 | - | |
| 轨到轨 | - | |
| 增益带宽积(GBW) | - | |
| 输入失调电压(Vos) | 500uV | |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 10uV/℃ | |
| 压摆率(SR) | 900V/us | |
| 输入偏置电流(Ib) | 10pA | |
| 输入失调电流(Ios) | 5pA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电压噪声密度(eN) | - | |
| 共模抑制比(CMRR) | 104dB | |
| 静态电流(Iq) | 100mA | |
| 输出电流 | - | |
| 工作温度 | -25℃~+85℃ | |
| 单电源电压 | - | |
| 双电源电压(Vee~Vcc) | - | |
| 功能特性 | 去补偿稳定 |
商品概述
PA119是一款高压、大电流运算放大器，专为驱动从直流到视频频率范围内的各种负载而优化。其卓越的输入精度得益于采用双单片FET输入晶体管，该晶体管与两个高压晶体管级联，提供了出色的共模特性。所有内部电流和电压电平均以电流源偏置的齐纳二极管为基准。因此，PA119在宽广的电源电压和温度范围内表现出卓越的直流和交流稳定性。互补功率MOS输出级确保了高速度和无二次击穿。为了获得线性度，尤其是在低电平下，功率MOS晶体管偏置在甲类/乙类模式。热关断功能提供全面的过热保护，并将散热器要求限制在仅需耗散正常工作条件下的内部功率损耗。内置0.5A的电流限制可通过添加两个外部电阻来提高。两个内部钳位二极管提供瞬态感性负载反冲保护。外部相位补偿使用户能够在所有增益设置下，最大程度地灵活获得压摆率和增益带宽积。建议使用额定值合适的散热器。该混合电路采用厚膜（金属陶瓷）电阻、陶瓷电容器和硅半导体芯片，以最大限度地提高可靠性、减小尺寸并提供性能。超声波键合铝线在所有工作温度下提供可靠的互连。8引脚TO-3封装采用气密密封和电气隔离。使用可压缩导热垫圈和/或不正确的安装扭矩将使产品保修失效。
商品特性
- 极高的压摆率 — 900 V/μs
- 功率MOS技术 — 4A峰值电流能力
- 低内部损耗 — 2A时0.75 V
- 受保护的输出级 — 热关断
- 宽电源电压范围 — ±15 V 至 ±40 V
应用领域
- 视频分配与放大
- 高速偏转电路
- 高达5 MHz的功率传感器
- 射频功率级调制
- 功率LED或激光二极管激励