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RQ3E180GNTB引脚图
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RQ3E180GNTB

1个N沟道 耐压:30V 电流:18A

品牌名称
ROHM(罗姆)
商品型号
RQ3E180GNTB
商品编号
C3020229
商品封装
HSMT-8(3x3.2)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)18A
导通电阻(RDS(on))4.3mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)22.4nC@10V
输入电容(Ciss)1.52nF

商品特性

  • 低导通电阻
  • 高功率封装(HSMT8)
  • 无铅镀层;符合RoHS标准
  • 无卤

应用领域

  • 开关

数据手册PDF